RT Dissertation/Thesis
T1 Estudio estadístico de fluctuaciones en transistores MOSFET multipuerta ultraescalados
A1 García Fernández, Julián
K1 3D simulations
K1 nanowire FET
K1 variability
K1 prediction models
AB En esta tesis se abordan dos desafíos clave en el diseño detransistores para futuros nodos tecnológicos. El primeroidentificar la arquitectura basada en silicio más prometedorapara reemplazar a los FinFETs, analizando el impacto dediferentes fuentes de variabilidad. Los resultados demuestranque el nanosheet FET exhibe una notable resistencia al impactode las variabilidades estudiadas, posicionándolo como unaalternativa adecuada para sustituir al FinFET. El segundo esreducir al máximo la demanda de recursos computacionales,manteniendo una elevada precisión en los resultados, para ellose desarrollaron modelos empíricos. Estos modelos presentanerrores relativos inferiores al 10% reduciendo de manerasustancial el tiempo de computación necesario para larealización de estos estudios y su impacto ambiental.
YR 2023
FD 2023
LK http://hdl.handle.net/10347/32490
UL http://hdl.handle.net/10347/32490
LA spa
DS Minerva
RD 23 abr 2026