RT Generic
T1 Efecto de la distribución de defectos en la conductividad térmica en películas delgadas de SrTiO3
A1 Álvarez Martínez, Víctor
K1 Resistive Switching
K1 Conductividad térmica
K1 SrTiO3 (STO)
K1 Thermal Resistive Switching (TRS)
K1 Deposición por Láser Pulsado (PLD)
AB Unos de los compuestos inorgánicos más estudiados a día de hoy en las cienciasdel estado sólido son las perovskitas. Estos compuestos, cuya fórmula general esMNX3, tienen una gran aplicabilidad en componentes electrónicos como las memoriasRAM o en celdas solares. En el presente trabajo se han fabricadopelículas delgadas -de espesores próximos a los 25 nm- de SrTiO3 (STO) sobre sustratosde SrTiO3 dopado con Nb (Nb:STO) mediante el método físico Deposiciónpor Láser Pulsado (PLD).La caracterización estructural de las películas delgadas incluye estudios de difracciónde rayos X obteniendo el espesor de dichas películas con las ecuacionesde Laue. En contraste con otro tipo de materiales, las películas fabricadas en elpresente trabajo tienen un comportamiento no-óhmico de Resistive Switching paralas cuales se definieron estados de alta (HRS) y baja resistencia eléctrica (LRS).Para dichos estados se consiguió medir una variación en la conductividad térmicade uno con respecto a la del otro utilizando técnicas de termorreflectancia. Laconclusión fundamental de este trabajo es que el fenómeno de Resistive Switchingafecta a la conductividad térmica de las películas delgadas de STO definiendo asíel Thermal Resistive Switching.
AB One of the most studied inorganic compounds nowadays in solid state science areperovskites. Theese compounds, which general formula is MNX3, have importantapplications such as electronic devices like RAM memories or solar cells. Inthis work SrTiO3 (STO) thin films -thicknesses around 25 nm- were synthesizedby Pulsed Laser Deposition in Nb doped SrTiO3 (Nb:STO).Thin structural characterization of this thin films included x-ray diffractiontechniques obtaining, therefore, the thicknesses of this films using Laue equations.In contrast with other materials, STO synthesized in this project films had a nonohmicResistive Rwitching behaviour in which we defined a high (HRS) and a lowelectric resistance state (LRS). For those electric resistance states, two thermalconductivity states were distinguished using thermoreflectance techniques. Themain conclussion of this work is that the Resistive Switching phenomena affectsdirectly thermal conductivity defining, therefore, a Thermal Resistive Switching.
AB Uns dos compostos inorgánicos máis estudados a día de hoxe nas ciencias do estado sólido son as perovskitas. Estes compostos, cuxa fórmual xeral é MNX3, teñen unha grande aplicabilidade en componentes electrónicos como as memorias RAM ou celas solares. No presente traballo fabricáronse películas delgadas -de espesores próximos aos 25 nm- de SrTiO3 (STO) sobre sustratos de SrTiO3 dopado con Nb (Nb:STO) mediante o método físico Deposición por Láser Pulsado(PLD).A caracterización estrutural das películas delgadas inclúe estudos de difracción de raios X obtendo o espesor de ditas películas cas ecuacións de Laue. En contraste con outro tipo de materiais, as películas delgadas fabricadas no presente proxecto teñen un comportamento non-óhmico de Resistive Switching para as cales definíronse estados de alta (HRS) e baixa resistencia eléctrica (LRS). Para ditos estadosconseguiuse medir unha variación na conductividade térmica dun con respecto dooutro empregando técnicas de termorreflectancia. A conclusión principal do proxectoé que o fenómeno de Resistive Switching afecta á conductividade térmicadas películas delgadas de STO definindo así o Thermal Resistive Switching.
YR 2022
FD 2022-07
LK http://hdl.handle.net/10347/29840
UL http://hdl.handle.net/10347/29840
LA spa
DS Minerva
RD 3 jun 2026