RT Dissertation/Thesis
T1 Estudio y optimización de herramientas numéricas para simulación de dispositivos semiconductores
A1 Espiñeira Deus, Gabriel
K1 Schrödinger
K1 voltaje umbral
K1 variabilidad
K1 figuras de mérito
K1 message passing interface
K1 método de elementos finitos
AB Desde la revolución del transistor la industria de la electrónica ha sidocapaz de aumentar el rendimiento de los dispositivos a costa de reducir sus dimensiones hasta los nanómetros.Sin embargo, este escalado tan agresivo ha originado diversas dificultades asociadas a los procesos defabricación. Utilizando diseño asistido por ordenador se pueden modelar los efectos indeseados derivados delescalado con simuladores numéricos muy costosos computacionalmente. El trabajo presentado en esta tesis se hacentrado en: i) el diseño de nuevas herramientas que ayuden a describir de manera más precisa elcomportamiento de estos dispositivos ultraescalados, ii) la mejora de la eficiencia de las herramientas desimulación y iii) su aplicación en estudios de variabilidad.
YR 2023
FD 2023
LK http://hdl.handle.net/10347/30030
UL http://hdl.handle.net/10347/30030
LA spa
DS Minerva
RD 24 abr 2026